一、采用蓝色半导体激光器的光盘（论文文献综述）
胡振[1]（2021）在《基于光致变色效应的钨磷酸盐玻璃发光可逆调控及其光存储应用研究》文中研究说明透明玻璃被认为是三维光学信息存储和多级加密的重要介质。然而,用半导体蓝色激光代替高成本飞秒激光直接在透明玻璃内部书写三维图案仍然是一个挑战。此外,无机光致变色材料因其在全息存储和光学数据存储领域的潜在应用而受到人们的广泛关注,与光致变色薄膜和陶瓷相比,光致变色玻璃由于具有较高的透明性,使其更容易增加相同体积下的数据存储量。稀土离子掺杂的透明光致变色玻璃可以通过外部光场来调控其发光特性,进而拓展了发光玻璃的应用领域。因此,迫切需要开发光调控玻璃来实现三维光学信息存储应用。本文通过高温固相熔融法制备了稀土离子Eu3+掺杂的钨磷酸盐玻璃。探究了Sb2O3对玻璃透明度的影响,Sb2O3的加入稳定了W6+的价态,从而得到了透明的钨磷酸盐玻璃。在473nm激光照射下玻璃表现出光致变色效应,热刺激使其褪色,经过多次循环,表现出良好的可逆性。玻璃中W和Sb元素的价态变化,揭示了可逆变色机理。由于Eu3+的发光峰与光致变色玻璃的吸光度重叠,因此Eu3+的发光可以被蓝色玻璃宿主吸收,从而通过光致变色调控发光,并且实现68%的光致发光调控率。在此基础上,演示了复杂的信息模式在光调控玻璃中写入、读取和擦除,显示出可逆的三维光学数据存储能力。此外,可对写入透明玻璃任意三维空间的光学信息进行分层识别,展示了信息加密功能。该透明光调控玻璃对于拓展其在光电领域的新应用具有重要意义。为了进一步拓展发光调控的新应用,用同样的方法制备了稀土离子Er3+/Yb3+共掺杂的钨磷酸盐玻璃,实现了上转换发光模式。由于上转换是一个非线性的光学过程,它需要两个或更多的低能近红外光子通过多步能量转移产生一个更高的能量光子,具有较大的反斯托克斯位移。这一特性对于光敏材料在三维光存储设备中的应用具有特别的意义,它不仅提供了很高的三维空间分辨率,而且多光子吸收有效避免了新的光致变色反应,实现了远程控制和非破坏性发光读取。研究了该透明光致变色玻璃的可逆上转换发光特性,在473nm激光照射下,钨磷酸盐玻璃的颜色由淡黄色变为蓝色,热刺激使其脱色,并且光致变色效应可逆地调控其上转换发光。通过演示信息数据在透明玻璃中反复写入和擦除,并且上转换发光调控可以读出光学信息,展现了信息无损读出的新兴应用。
王瑾[2]（2020）在《硅衬底GaN基微盘激光器的设计与制备研究》文中认为硅衬底GaN基微盘激光器模式体积小、功耗低,在光电集成、单光子发射、化学生物探测等领域具有重要的应用前景。常规GaN基微盘激光器采用空气为光场限制层的“蘑菇状”结构,电注入难、热阻较高,仅实现了光泵浦激射。本论文围绕硅衬底GaN基微盘激光器的载流子输运、光场调控、光损耗抑制和热传导等关键科学问题,从结构设计、材料生长、器件制备和表征分析等多方面进行了深入研究。取得的结果如下:（1）创新性提出了“三明治状”器件结构,大幅减小了器件电阻和热阻;设计了非对称波导结构,大幅降低了器件的光损耗。（2）采用AlN/AlGaN应力控制层,在硅衬底上生长了高质量的GaN基微盘激光器材料;通过调控生长动力学过程,大幅减少了 p-AlGaN光场限制层中的碳杂质浓度,有效降低了器件的串联电阻和光吸收损耗。（3）开发了干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的腔面制备技术,得到光滑平整且陡直的微盘激光器腔面,大幅减小了器件阈值电流;开发了稳定可靠的空气桥制备技术,实现了微小尺寸微盘激光器的室温电注入。（4）对微盘激光器进行了热学特性表征及分析,根据热学分析结果解释了激光器结温随器件尺寸的变化规律。在上述基础上,研制了国际首支室温电注入连续激射的硅衬底GaN基微盘激光器和微环激光器,其中微盘激光器半径8μm,阈值电流仅为18mA。不仅如此,还将微盘激光器的激射波长拓展到紫外光波段,实现了硅衬底GaN基386 nm紫外光微盘激光器的室温电注入激射,以及硅衬底GaN基紫外光FP腔激光器的室温电注入激射。
周韧林[3]（2020）在《氮化镓材料载流子复合过程的研究》文中研究指明以InGaN材料作为有源区制备的氮化物基发光器件,其发光波长可以覆盖整个可见光范围,具有丰富的市场需求与广袤的应用前景,如发光二极管（LED）在固态照明、微型LED显示（micro-LED）,蓝绿光激光器在投影显示、激光照明、光盘存储等应用领域都是决定性能的核心器件。InGaN量子阱作为激光器与LED的有源区,是决定器件发光效率的关键。究其原理,InGaN量子阱的发光是载流子在量子阱中辐射复合的结果,除辐射复合外,载流子还可能进行非辐射复合,而辐射复合与非辐射复合两者间的竞争关系决定了量子阱的内量子效率与增益。为了提升量子阱的内量子效率与增益,就有必要研究载流子在InGaN量子阱的复合过程。本论文围绕载流子稳态寿命的测量、辐射复合与非辐射复合寿命的分离、InGaN量子阱的辐射复合寿命、InGaN量子阱的非辐射复合寿命、复合过程在激光器有源区的应用这几个方面开展研究。在研究材料中载流子的复合过程时,常用的一种研究手段就是时间分辨光致发光（TRPL）实验,本论文提出一种新的测量稳态下载流子寿命的方法。在TRPL实验中,不再使用常规的脉冲激光器,而是使用调制下的准连续激光器作为激励源。在准连续激光器的激励下,可以直接测量得到稳态下载流子的寿命,结合变激发功率与变温实验,实现了辐射复合寿命与非辐射复合寿命的分离。在纤锌矿结构的c面InGaN量子阱中,较强的极化电场使能带发生倾斜,引起电子-空穴波函数分离与量子限制斯塔克效应,对带间跃迁的能量与辐射复合系数造成显着影响。本论文采用有限差分法进行数值计算,实现了一维薛定谔-泊松方程的自洽求解,得到了极化电场影响下量子阱中能级与波函数,并与变激发功率实验中测量得到的峰值发光能量与辐射复合系数进行比较,发现峰值发光能量与理论计算的值符合较好,而辐射复合系数随阱厚增加而减小的趋势并没有电子-空穴波函数重叠那样剧烈。肖克莱-里德-霍尔（SRH）复合是一种典型的非辐射复合,SRH复合降低有源区的内量子效率,影响器件性能。本论文基于变温实验系统分析了 InGaN量子阱中SRH复合寿命随量子阱厚度、量子阱数目的变化规律,发现了 SRH复合寿命随InGaN层总厚度增加而迅速增长的趋势,随后引入生长过程中,In原子俘获点缺陷,进而降低后续生长外延层中点缺陷密度的模型,结合缺陷激活能分析,解释了实验发现的InGaN量子阱中SRH复合寿命的变化规律。在蓝光激光器的有源区采用优化后的量子阱结构与生长参数,有效改善了激光器的性能,实现了阈值电流密度低于1 kA/cm2的蓝光激光器,器件性能与业界前沿水平相当。此外对绿光量子阱的非辐射复合与辐射复合进行了实验与理论分析,并通过与蓝光量子阱进行比较,得到了限制绿光量子阱效率的主要因素为In组分增加时辐射复合寿命的增加,为InGaN基蓝绿光激光器性能的进一步提升指明了方向。
章灿然[4]（2020）在《GaN、CsPbBr3微纳结构荧光及激光特性研究》文中提出宽禁带半导体材料也被称为第三代半导体材料,其带隙大于或等于2.3 e V,以GaN为代表,触发了人类半导体照明技术革命。半导体钙钛矿是近几年来发展起来的一类具有良好电光学性能的宽禁带半导体光学材料,在太阳能电池、发光二极管（LED）、激光器等方面具有潜在应用。本文着眼于这两种光学材料,从理论和实际应用的角度探索它们的荧光及受激辐射特性,主要内容可分为以下四个方面:（1）基于有限元法（FEM）,使用COMSOL Multiphysics 5.4求解亥姆霍兹方程,得到具有特定形状GaN光学谐振腔中的谐振频率、近场光学模式和相应模式的品质因子（Q factor）。研究了二维六边形GaN光学微腔尖角圆化效应对腔体光学模式及品质因子的影响;模拟了GaN二维非规则体育场形混沌光学微腔中腔体形状由体育场向圆逐渐变化引起的腔内光学模式及品质因子的变化过程。（2）构建了一种GaN二维准半圆形软混沌光学微腔,基于非线性动力学在相空间中构建光学共振回路模型,预测腔中可能出现的光学模式;利用有限元分析软件COMSOL Multiphysics 5.4模拟微腔中的近场光学模式。使用半导体微纳加工工艺制造了准半圆形GaN光学微腔,微腔激射实验显示在较高泵浦功率下,微腔内由于模式竞争,准回音壁模式在激射光谱中占主导地位,与理论模拟结果符合。（3）研究了CsPbBr3@SiO2量子点和纯CsPbBr3量子点之间的光学性质差异。变温光致发光结果表明:CsPbBr3@SiO2量子点和CsPbBr3量子点具有相似的激子结合能;随着温度从10 K升高至室温,晶格热膨胀和电子-声子耦合效应导致CsPbBr3和CsPbBr3@SiO2量子点的光学带隙和线宽展宽;CsPbBr3和CsPbBr3@SiO2量子点具有相似的热膨胀系数,但CsPbBr3@SiO2量子点中的电子-声子耦合效应更弱。时间分辨光致发光（TRPL）结果表明,两种量子点的光致发光寿命都随温度升高而增加,在110 K以上,CsPbBr3@SiO2量子点的寿命更长。此外,将两种量子点作为绿色荧光材料集成到蓝光二极管芯片上,CsPbBr3@SiO2量子点在空气氛围下比CsPbBr3量子点具有更好的热稳定性。（4）通过化学气相沉积法制备了一种具有较高晶体质量的具有三角形截面的CsPbBr3微米棒。通过变温光致发光实验测量微结构的激子结合能;分析了晶格热膨胀和电子-声子耦合效应对光学带隙的协同调制作用;光致发光线宽展宽归因于电子-声子耦合效应。时间分辨光致发光实验表明:由于激子的热解离作用,CsPbBr3微米棒的寿命随着温度升高而变长。此外,我们探究了这种CsPbBr3微米棒中的激射行为,微米棒在较高的泵浦功率下可以产生单模激射,通过有限元分析其激射模式是由腔体侧边的部分反射和底部的全反射构成的类F-P模式。
李斌[5]（2020）在《光子计数光时域反射仪关键技术研究》文中研究表明随着光纤技术在通信、测量、控制、能源等领域的广泛应用,相关行业发展对光纤基础架构上的测试级别、准确性、精确度提出了更高要求。光纤测试在光纤网络的设计、部署和维护等方面所起作用至关重要,新技术的出现和旧技术的拓展也反过来不断推进光纤行业高质量的发展。作为国际上最早被研究并商用的光纤测试技术之一,光时域反射仪目前已成为光纤领域应用最基本、最广泛的测试手段。光子计数光时域反射仪则是一种结合了光时域反射技术和量子探测技术而衍生的新型光纤检测技术,克服了测试距离和空间分辨率之间的矛盾,对提升光纤测试能力具有重要意义。本文以基于单光子探测的光子计数光时域反射仪为研究对象,分析了其测试原理和特点,并对如何提高其测试性能进行了相应的讨论。通过优化探测方式、器件性能和数据处理算法,重点围绕去除探测器饱和计数对动态范围提升的限制、消除色散对空间分辨率劣化的影响、克服在航空光缆检测应用中面临的技术难题这三方面内容展开研究。论文的主要研究内容和创新工作如下:（1）提出并论证了通过外时间门控提高光子计数光时域反射仪动态范围的方案。受单光子探测器死时间的限制,光子计数光时域反射仪的计数率达到饱和后无法通过增大光功率提升动态范围。针对此问题,利用高速光开关设计了光纤分段测试的实现方法,即使用外部门控信号控制光开关以完成对后向传输光的强度调制,只有门控信号开启时间内的后向传输光能被单光子探测器探测到,通过增加探测光的强度提升门控范围内有效信号的强度,进而把光子计数从整段测量光纤范围集中到门控范围内,实现了大动态范围测量。实验结果表明,利用50 ns宽的门控信号扫描70 m长的光纤,实现了30 dB的动态范围,相比没有门控操作,动态范围提高了11 dB,与理论分析相符合。同时,随着动态范围的提升,被噪声淹没的低损耗事件也得以显现,最终观察到了0.37 dB的损耗事件。（2）提出并论证了利用无限散射技术实现色散无关光子计数光时域反射仪的方案。光时域反射系统在长距离光纤测试过程中,由于色散的影响导致脉冲展宽从而造成空间分辨率受限。针对此问题,设计了利用宽脉冲光进行探测的实现方法,即向被测光纤中周期性地注入与测试距离相关的宽脉冲光,同时在发射端对后向传输光进行记录,通过相邻时间通道内光子数的差分运算即可获得对应位置的后向信号,进而分析出被测光纤的传输情况。研究结果表明,该方案中空间分辨率不受脉冲宽度影响,不仅取消了光时域反射系统对窄脉冲激光器的依赖,而且具有色散无关的特性。此外,为进一步提高测试效率,提出了融合外时间门控的无限散射光子计数光时域反射仪方案,理论分析证明该融合方案对缩短测试时间和提高信噪比具有重要作用。实验结果表明,获得相同信噪比时,采用5个外时间门控信号扫描25 km长的被测光纤,系统的测试时间相比无门控操作可以缩短80%左右。（3）完成了基于光子计数光时域反射技术的航空光缆检测设备的设计和开发,并得到了成功应用。现有的光时域反射技术无法满足航空光缆短距离、高空间分辨率的测量要求,针对此问题,应用单光子探测技术设计了高空间分辨率多通道光缆自动检测的实现方法。为了满足系统对高性价比窄脉冲光源的需求,提出了基于半导体增益开关原理的阶梯波调制方案,利用第一段调制电流进行载流子数的累积,直到腔内载流子密度达到阈值时停止注入,之后随着第二段幅值更大的调制电流注入,载流子累积速率大大提高,从而输出高功率、高消光比的窄脉冲。为了简化数据处理过程,降低对设计人员经验的依赖,提出了基于小波包分析和支持向量机的事件自动识别方案,利用小波包的多辨析特性提取故障的特征向量,作为支持向量机的输入进行训练和测试,从而完成事件类别的判断,并得到识别率。系统测试结果表明,结合自主研发的850 nm波长的窄脉冲激光器,实现了约18 dB的动态范围和小于9 cm的空间分辨率,事件识别率达到了99%。在实现国产化高精度航空光缆检测领域具有里程碑式意义。
吴俊[6]（2019）在《柔性基底金属纳米结构制备及半导体发光器件集成技术研究》文中指出柔性材料如聚二甲基硅氧烷（polydimethylsiloxane,PDMS）、聚酰亚胺（Polymide,PI）、聚碳酸酯（Polycarbonate,PC）等,由于具有多种刚性材料无法比拟的优越特性,被用于制作成可拉伸、可穿戴的柔性器件,广泛应用于能源、医疗、信息、国防等领域。半导体发光器件如发光二极管（Light Emitting Diode,LED）、垂直腔面发射激光器（Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL）等具有垂直于衬底发光、易于集成和形成二维阵列等特性,在照明、传感、光通信等领域具有重要应用。本论文主要是对PDMS基底金纳米结构的制备及其与LED、VCSEL的集成技术进行研究,并探索集成芯片的传感应用。主要研究内容如下:（1）在柔性基底上,快速、低成本、大面积的制备金属纳米结构:利用激光干涉光刻的方法在PDMS上制备了光栅、点阵、孔阵等周期性金纳米结构;利用二氧化硅球自组装、光盘中间的聚碳酸酯层预刻槽结构及阳极氧化铝（Anodic Aluminum Oxide,AAO）薄膜等材料制备了PDMS基底金纳米结构。这些金纳米结构都具有表面等离激元特性,对周围环境折射率变化敏感,可用于生化传感。（2）半导体发光器件制备及其与柔性基底金属纳米结构的集成:实验制备了峰值波长为626nm的红光LED和激射波长为850nm的4×4大功率氧化型VCSEL阵列。使用光刻等工艺制作了硅模板,通过翻模的方式制作了PDMS微流通道。利用键合工艺,首先将微流通道和PDMS基底金纳米结构键合;再与制作好的两种半导体发光器件二次键合,使柔性基底金属纳米结构和半导体发光器件集成。（3）集成柔性基底金属纳米结构的半导体发光器件测试分析:利用贵金属纳米结构的表面等离激元对环境折射率敏感特性,对制备好的集成芯片进行测试,探索其传感应用。向微流通道内注入不同折射率液体,测试PDMS基底金纳米结构的透射光谱;VCSEL集成芯片的光功率、光谱;最后还探索了利用LED集成芯片的可视化变化来对不同液体进行定性判断。本文利用柔性材料PDMS易于与大部分常用半导体材料键合的特性,在其上制备了金纳米结构,再将其与VCSEL、LED这类低成本、易于集成的半导体发光器件相结合,通过金纳米结构的表面等离激元特性实现折射率传感。这种方法比直接在发光器件上制备纳米结构的常规方法更具简便、低成本的优势。初步实现了微全分析系统（Miniaturized total analysis systems,μTAS）激发和传感功能单元的集成,并具有实时、低成本、无标记等优点。
丁睿谦[7]（2016）在《激光熔覆涂层对Ti35钛合金表面性能的影响研究》文中研究表明钛合金具有低比重、高比强度、优异的耐蚀性和生物相容性等特点,已经广泛应用于航空、航天、海洋、核工业及石油等领域。但是钛合金因具有摩擦系数高、耐磨性差等缺点,导致其在设备的结构使用方面的潜力发挥受到了一定程度限制。Ti35合金是西北有色金属研究院专门为我国乏燃料后处理关键设备用材而设计、并开发成功的一种新型Ti-Ta两元系的纯α型耐沸腾硝酸腐蚀钛合金,该合金具有优异的力学性能、冷热加工及成形性能、耐腐蚀性能及焊接性能,可满足乏燃料后处理工程中关键设备工况的使用要求。核燃料后处理工程中其关键设备及重要的工艺管道工作在含放射性离子的强腐蚀性介质中,需要采用耐蚀性优异的Ti35合金制备穿地阀门作为流体的控制装置。穿地阀门的密封采用硬密封方式,该硬密封面硬度设计要求HV高于200以上,同时需要承受含有多种放射性离子的高浓度沸腾硝酸的腐蚀,长期使用过程中还要求硬密封面具有良好的耐磨性能、以及在高应力载荷下较长的服役寿命。Ti35合金尽管耐腐蚀性能优异,但耐磨性差、硬度低,难以满足阀门硬密封的应用要求,如何在Ti35合金基材上获得与基体结合紧密、硬度高、耐腐蚀性能好、厚度大于3.5mm的高硬度层是首先要解决的基本技术问题。解决Ti35合金穿地阀门硬密封面问题,对保证核燃料后处理系统长期安全可靠运行,提高核燃料回收效率具有重要意义。本项目涉及的穿地阀门的硬密封面不但使用位置特殊,且要求一定的厚度（厚度≥3.5mm）,常规使用的微弧氧化、无氢碳氧共渗、热喷涂+烧结、物理气相沉积等方法均不能满足要求。激光熔覆技术因具备激光熔覆层和基体呈高强度冶金结合、熔覆层组织细小、成分及厚度可控制等优点,已成为改善钛合金表面性能的有效手段之一。采用与Ti35合金同体系的Ti-Ta合金作为穿地阀门硬密封面熔覆用材料,既保证了与基体结合紧密度,也便于进一步通过添加硬质相调整熔覆层的硬度、强度,同时为了保证核燃料闭式循环系统长期安全可靠运行,熔覆层还要确保足够的耐腐蚀性能及抗压力腐蚀疲劳性能,因此有必要对不同成分的Ti-Ta合金激光熔覆层加以研究。本课题针对Ti35合金硬度低、耐磨性差等缺点,在Ti35合金基体表面进行硬质陶瓷强化相复合涂层的激光熔覆以提高其硬度及耐磨性。期望在保证其耐蚀性能的前提下,提高其硬度、耐磨性及抗压疲劳性能,得到无气孔、裂纹且与基体呈良好冶金结合的一定厚度的熔覆层的制备方法,为钛合金穿地阀门硬密封面的制造提供技术支持。完成的主要工作及取得的结论如下:（1）在Ti35合金基体上预置Ti-10Ta+5～10TiC粉末,通过激光熔覆方法能够形成满足Ti35合金穿地阀门硬密封面硬度及耐腐蚀性要求的复合涂层。（2）随着Ti-10Ta+XTiC熔覆材料中TiC含量的增加,熔覆层的显微组织有粗大化的趋势,其纤维状的组织逐渐被柱状组织代替,结合区组织更加致密。当TiC含量超过10%时,熔覆层中有小量气孔缺陷产生。（3）随着Ti-10Ta+XTiC熔覆材料中TiC含量的增加,熔覆层硬度增加,其显微硬度值由表面向基体呈先小幅度升高后逐渐下降的趋势,5～20%TiC熔覆材料的硬度均满足要求;随着TiC含量增加,熔覆层的腐蚀速率有提高的趋势。（4）Ti-Ta+XTiC合金熔覆层腐蚀后表面形成的氧化膜厚度在扫描电镜观察下不明显;Ti-10Ta合金熔覆层在腐蚀后表面生成的氧化膜比Ti-10Ta+5～20%TiC熔覆层的更加致密。
张明江[8]（2011）在《光注入半导体激光器的非线性动态特性及其应用研究》文中研究指明半导体激光器在外部光注入扰动下会呈现丰富的非线性动态特性,诸如单周期振荡、倍周期振荡、混沌等现象。深入研究这些动态现象,有助于揭示半导体激光器非线性动态特性产生的物理机制,并进一步拓展其应用领域。本文从理论和实验两方面研究了光注入半导体激光器的非线性动态特性及其应用:①理论研究了各种参数对单周期振荡和混沌振荡的光谱特性以及输出频率的影响,探明了混合扰动法对混沌振荡控制的物理机制,研究结果对于半导体激光器的非线性动态特性在不同领域的应用具有一定的指导意义。②利用双波长注入光反馈Fabry-Perot激光器,产生了宽带多波长混沌激光,该混沌激光的应用将大大提高混沌保密光通信的传输速率和容量、混沌激光测距雷达的分辨率、高速随机数的速率,促进波分复用（WDM）技术在混沌激光保密通信系统的实用化。③基于光注入Fabry-Perot半导体激光器,分别提出了全光时钟分频方法和全光波长转换方法,并构建了全光脉冲除法器。全光时钟分频可用于提取光时分复用（OTDM）系统的支路时钟,全光波长转换可实现OTDM混合WDM系统的波长转换与波长路由,全光脉冲除法器则可用于全光采样系统以及全光模数转换器。④基于光注入混沌半导体激光器产生了中心频率可调谐、带宽可控的超宽带（UWB）微波信号,该方法有望开拓一种新型的chaotic UWB-over-fiber技术,推动光载超宽带无线技术的发展。本论文工作的主要创新点:1.提出了利用双波长注入光反馈Fabry-Perot半导体激光器产生宽带多波长混沌激光的方法,实验获得了带宽超过30 GHz的宽带混沌激光输出。2.基于光注入半导体激光器的单周期振荡特性和微波锁频效应,提出了一种用于光时分复用网络支路时钟提取的方法,并构建了一种新型的全光分频器。3.基于光注入半导体激光器的单周期振荡特性和交叉增益调制效应,提出了一种面向波分复用混合光时分复用系统的全光波长转换技术。4.融合宽带混沌激光产生与控制技术、微波光子学技术,提出一种利用光注入混合光反馈扰动半导体激光器产生可调谐超宽带（UWB）微波信号的方法,构建了一种新型的光子学UWB微波信号发生器。
朱遥,诸葛琼[9]（2007）在《蓝色激光器的原理与发展》文中认为一、引言2006年11月13日,备受关注的Playstation 3 （PS3）视频游戏机在日本本土首次销售,短时间内便被一抢而空。PS3是由索尼计算机娱乐公司（SCE:Sony Computer Entertainment）开发的内置Blu-ray光驱的游戏机,一直被看作是Blu-ray阵营的"杀手锏"级别的产品。几天过后的11月17日,PS3开始挺进美国市场,销售状况一片火热。然而,首批投放市场的PS3游戏机数量大大低于原计划。SCE在2006年5月公布PS3
顾颖[10]（2006）在《激光技术的发展历史》文中认为
二、采用蓝色半导体激光器的光盘（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、采用蓝色半导体激光器的光盘（论文提纲范文）
（1）基于光致变色效应的钨磷酸盐玻璃发光可逆调控及其光存储应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 稀土发光材料 |
| 1.2.1 发光材料 |
| 1.2.2 稀土发光中心 |
| 1.2.3 发光调控 |
| 1.3 光致变色材料 |
| 1.3.1 光致变色材料的分类 |
| 1.3.2 光致变色机理 |
| 1.3.3 国内外研究进展 |
| 1.4 存储介质 |
| 1.4.1 信息存储意义及现状 |
| 1.4.2 存储方式及其发展 |
| 1.4.3 光存储介质 |
| 1.4.4 玻璃介质光存储发展 |
| 1.4.5 蓝光直写优势 |
| 1.5 本工作的研究意义及内容 |
| 1.5.1 研究意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 第二章 实验方法 |
| 2.1 实验的原料和使用的仪器设备 |
| 2.2 稀土离子掺杂的钨磷酸盐玻璃制备过程 |
| 2.2.1 Eu~(3+),Dy~(3+)掺杂的钨磷酸盐玻璃的制备过程 |
| 2.2.2 Yb~(3+),Er~(3+)共掺杂的钨磷酸盐玻璃的制备过程 |
| 2.3 在玻璃中可逆书写和擦除光学信息 |
| 2.4 样品的测试与表征 |
| 第三章 基于光致变色效应的Eu~(3+)掺杂的钨磷酸盐玻璃发光可逆调控及其光存储应用研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 结果与讨论 |
| 3.2.1 Sb_2O_3对玻璃透明度和发光性能的影响 |
| 3.2.2 可逆的光致变色及其发光调控 |
| 3.2.3 可逆的光致变色机理 |
| 3.2.4 发光调控机制 |
| 3.3 三维光数据存储和信息加密应用演示 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于光致变色效应的Yb~(3+)、Er~(3+)共掺钨磷酸盐玻璃上转换发光可逆调控及其无损读出研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 结果与讨论 |
| 4.2.1 Yb~(3+)、Er~(3+)掺杂浓度及其上转换发光的研究 |
| 4.2.2 Yb~(3+)、Er~(3+)共掺杂钨磷酸盐玻璃的可逆光致变色效应及其机理 |
| 4.2.3 基于光致变色效应的可逆上转换发光调控及其机理 |
| 4.3 光致变色调控上转换发光玻璃的光存储应用及其无损读出 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 本工作的创新点及优势 |
| 5.3 本工作的不足及未来研究方向 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 A:攻读硕士学位期间发表论文 |
（2）硅衬底GaN基微盘激光器的设计与制备研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 1.1 微盘激光器 |
| 1.1.1 光学微腔 |
| 1.1.2 微盘激光器的研究进展 |
| 1.2 硅衬底GaN基微盘激光器 |
| 1.2.1 GaN基材料介绍 |
| 1.2.2 GaN基微盘激光器 |
| 1.2.3 硅衬底GaN基微盘激光器的研究意义 |
| 1.3 本论文的研究内容及工作安排 |
| 2 硅衬底GaN基微盘激光器的器件结构设计 |
| 2.1 微盘激光器器件结构设计 |
| 2.1.1 “三明治”式器件结构 |
| 2.1.2 微环激光器 |
| 2.2 激光器结构的光学模拟 |
| 2.2.1 时域有限差分法 |
| 2.2.2 氮化物材料的折射率 |
| 2.3 激光器外延结构设计 |
| 2.3.1 波导层厚度对激光器光学特性的影响 |
| 2.3.2 限制层厚度对激光器光学特性的影响 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 硅衬底GaN基微盘激光器的材料生长 |
| 3.1 MOCVD系统 |
| 3.1.1 MOCVD系统简介 |
| 3.1.2 MOCVD生长基本原理 |
| 3.2 硅衬底上GaN激光器结构外延生长 |
| 3.2.1 硅衬底上高质量GaN薄膜外延生长 |
| 3.2.2 硅衬底上紫光激光器结构外延生长 |
| 3.2.3 硅衬底上紫外激光器结构外延生长 |
| 3.3 本章小结 |
| 4 硅衬底GaN基微盘激光器的器件工艺 |
| 4.1 器件工艺设备简介 |
| 4.2 硅衬底GaN基微盘激光器的制备 |
| 4.2.1 微盘激光器的工艺流程 |
| 4.2.2 微环激光器的工艺流程 |
| 4.3 关键工艺细节 |
| 4.3.1 台面刻蚀技术 |
| 4.3.2 湿法腐蚀优化器件侧壁 |
| 4.3.3 空气桥电极结构制备方法 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 硅衬底GaN基微盘激光器的器件结果表征 |
| 5.1 室温电注入脉冲激射的硅衬底GaN基紫光微盘激光器 |
| 5.2 碳掺杂对器件性能的影响 |
| 5.3 光泵测试结果 |
| 5.4 室温电注入连续激射的硅衬底GaN基紫光微盘激光器 |
| 5.5 室温电注入脉冲激射的硅衬底GaN基紫外微盘激光器 |
| 5.6 本章小结 |
| 6 硅衬底GaN基微盘激光器的热学特性分析 |
| 6.1 微盘激光器的热学模拟 |
| 6.1.1 有限元方法 |
| 6.1.2 微盘激光器热学分析模型 |
| 6.1.3 微环激光器内圈半径对结温的影响 |
| 6.1.4 微盘激光器半径对结温的影响 |
| 6.2 微盘激光器的结温测试 |
| 6.2.1 正向电压法 |
| 6.2.2 微盘激光器的结温测试结果 |
| 6.3 本章小结 |
| 7 硅衬底GaN基FP腔紫外激光器 |
| 7.1 研究背景 |
| 7.2 GaN基紫外FP腔激光器的研究进展 |
| 7.3 硅衬底GaN基紫外FP激光器器件的制备 |
| 7.4 硅衬底GaN基紫外FP激光器器件的测试 |
| 7.5 反常老化现象研究 |
| 7.5.1 反常老化现象 |
| 7.5.2 电子阻挡层Mg掺杂的影响 |
| 7.6 本章小结 |
| 8 总结与展望 |
| 8.1 全文总结 |
| 8.2 未来工作展望 |
| 8.2.1 进一步降低微盘激光器阈值电流 |
| 8.2.2 实现光的定向输出 |
| 8.2.3 提高材料质量 |
| 参考文献 |
| 作者简历及在学研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（3）氮化镓材料载流子复合过程的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 氮化物半导体材料简介 |
| 1.1.1 GaN材料的异质外延与掺杂 |
| 1.1.2 InGaN材料简介 |
| 1.2 InGaN作为有源区的发光器件 |
| 1.2.1 InGaN发光二极管简介 |
| 1.2.2 InGaN激光器简介 |
| 1.3 载流子的复合过程 |
| 1.3.1 载流子的复合过程简介 |
| 1.3.2 稳态时间分辨光致发光实验 |
| 1.4 本论文的研究内容、研究意义和工作安排 |
| 1.4.1 本论文的研究内容 |
| 1.4.2 本论文的研究意义 |
| 1.4.3 本论文的工作安排 |
| 第2章 实验设备与载流子寿命的测量 |
| 2.1 实验设备 |
| 2.1.1 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) |
| 2.1.2 高分辨X射线衍射(HRXRD) |
| 2.1.3 原子力显微镜(AFM) |
| 2.1.4 光致发光(PL) |
| 2.2 光生载流子寿命的测量 |
| 2.2.1 时间分辨单光子计数的原理 |
| 2.2.2 时间分辨单光子计数系统的构成 |
| 2.2.3 时间分辨单光子计数系统的搭建 |
| 2.3 本章小结 |
| 第3章辐射复合与非辐射复合寿命的分离 |
| 3.1 变激发功率光致发光实验 |
| 3.1.1 载流子的速率方程 |
| 3.1.2 变激发功率实验方法 |
| 3.1.3 变激发功率实验数据的综合分析 |
| 3.2 变温光致发光实验 |
| 3.2.1 辐射复合与非辐射复合寿命随温度变化的规律 |
| 3.2.2 变温实验方法 |
| 3.2.3 变温实验数据的综合分析 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 InGaN量子阱中辐射复合寿命的研究 |
| 4.1 量子阱中能级与波函数的计算 |
| 4.1.1 一维薛定谔方程的数值计算 |
| 4.1.2 载流子的统计分布与一维泊松方程的数值计算 |
| 4.1.3 一维薛定谔-泊松方程的自洽求解 |
| 4.2 InGaN量子阱的辐射复合系数 |
| 4.2.1 不同阱厚量子阱的光致发光峰值波长 |
| 4.2.2 不同阱厚量子阱的辐射复合系数 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 InGaN量子阱中SRH复合寿命的研究 |
| 5.1 InGaN量子阱中SRH复合寿命的变化规律 |
| 5.1.1 不同阱厚的多量子阱中的SRH复合寿命 |
| 5.1.2 不同量子阱数目的多量子阱中的SRH复合寿命 |
| 5.2 InGaN量子阱中SRH复合寿命的机制研究 |
| 5.2.1 InGaN量子阱中SRH复合过程的研究背景 |
| 5.2.2 SRH复合寿命变化规律的分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 载流子复合过程在蓝绿光激光器上的应用 |
| 6.1 蓝光激光器性能的分析 |
| 6.1.1 蓝光激光器有源区的结构设计 |
| 6.1.2 低阈值蓝光激光器的制备 |
| 6.1.3 限制蓝光激光器性能的因素分析 |
| 6.2 限制绿光激光器性能的因素分析 |
| 6.2.1 绿光激光器有源区的SRH复合寿命 |
| 6.2.2 绿光量子阱与蓝光量子阱的比较 |
| 6.3 本章小结 |
| 第7章 全文总结与展望 |
| 7.1 本论文的研究成果 |
| 7.2 不足之处与展望 |
| 参考文献 |
| 附录A 补充材料 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 |
（4）GaN、CsPbBr3微纳结构荧光及激光特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 符号说明 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 半导体发光机理 |
| 1.2.1 发光二极管 |
| 1.2.2 半导体激光器 |
| 1.3 光学微腔简介 |
| 1.3.1 回音壁模式光学微腔 |
| 1.3.2 非对称微腔的发展与研究意义 |
| 1.3.3 非对称微腔分析方法 |
| 1.4 氮化镓基光学微腔与研究意义 |
| 1.5 钙钛矿发光材料简介 |
| 1.5.1 钙钛矿薄膜 |
| 1.5.2 钙钛矿量子点 |
| 1.5.3 钙钛矿微米/纳米结构 |
| 1.6 本课题的主要研究内容及意义 |
| 第2章 二维正六边形与体育场形氮化镓微腔中的边界圆化效应 |
| 2.1 六边形微腔中的圆化效应 |
| 2.1.1 引言 |
| 2.1.2 正六边形微腔圆化效应建模 |
| 2.1.3 正六边形微腔圆化效应有限元分析 |
| 2.2 体育场形微腔中的圆化效应 |
| 2.2.1 引言 |
| 2.2.2 体育场形微腔圆化效应建模 |
| 2.2.3 体育场形微腔圆化效应有限元分析 |
| 2.3 本章小结 |
| 第3章 准半圆形氮化镓光学微腔的激射特性研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 准半圆模型及其Poincare映射 |
| 3.3 波动分析:谐振模式模拟 |
| 3.4 微腔制作流程 |
| 3.5 激射实验 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 CsPbBr_3@SiO_2量子点的激子光致发光特性及其作为荧光材料在发光二极管中的应用 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 CsPbBr_3和CsPbBr_3@SiO_2钙钛矿量子点的制备方法 |
| 4.2.2 变温PL与TRPL光谱测试方法 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 CsPbBr_3钙钛矿微米棒网状结构的激子光致发光及其激射特性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及参加的学术会议 |
| 致谢 |
（5）光子计数光时域反射仪关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 缩略词表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.1.1 光时域反射技术 |
| 1.1.2 光时域反射测量的性能指标 |
| 1.1.3 光子计数光时域反射技术 |
| 1.2 国内外研究情况及发展趋势 |
| 1.3 本论文的选题背景及主要内容 |
| 1.3.1 本论文的选题背景 |
| 1.3.2 本论文的主要内容 |
| 第二章 光子计数光时域反射仪理论基础 |
| 2.1 光子计数光时域反射仪核心技术 |
| 2.2 光子计数光时域反射仪核心器件 |
| 2.2.1 激光器 |
| 2.2.2 单光子探测器 |
| 2.3 光子计数光时域反射仪模型与仿真 |
| 2.3.1 后向传输模型 |
| 2.3.2 单光子探测模型 |
| 2.3.3 蒙特卡洛仿真 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 基于外时间门控的高动态范围光子计数光时域反射仪 |
| 3.1 外时间门控光子计数光时域反射仪的工作原理 |
| 3.1.1 基本原理与操作 |
| 3.1.2 理论模型 |
| 3.2 外时间门控光子计数光时域反射仪的实验验证 |
| 3.2.1 外时间门控方案 |
| 3.2.2 实验结构 |
| 3.2.3 实验结果与讨论 |
| 3.2.4 与内门控技术比对 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 基于无限散射的色散无关光子计数光时域反射仪 |
| 4.1 无限散射技术 |
| 4.2 无限散射光子计数光时域反射仪系统设计 |
| 4.2.1 基本结构 |
| 4.2.2 性能评估 |
| 4.3 无限散射光子计数光时域反射仪的实验验证 |
| 4.3.1 实验结构 |
| 4.3.2 实验结果与讨论 |
| 4.4 融合外时间门控的无限散射光子计数光时域反射仪 |
| 4.4.1 理论分析 |
| 4.4.2 实验结构 |
| 4.4.3 实验结果与讨论 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 光子计数光时域反射仪在航空光缆检测中应用 |
| 5.1 多通道光子计数光时域反射仪的系统设计 |
| 5.1.1 需求分析 |
| 5.1.2 总体方案 |
| 5.2 基于增益开关技术的窄脉冲产生方法研究 |
| 5.2.1 皮秒脉冲激光器的实现 |
| 5.2.2 调制信号的改进方案 |
| 5.3 基于小波包分析和支持向量机的事件识别算法研究 |
| 5.3.1 算法简介 |
| 5.3.2 基小波的确定 |
| 5.3.3 事件识别流程 |
| 5.4 多通道光子计数光时域反射仪的性能测试 |
| 5.4.1 动态范围 |
| 5.4.2 空间分辨率 |
| 5.4.3 弯曲损耗 |
| 5.4.4 事件识别率 |
| 5.4.5 校准结果 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 全文总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（6）柔性基底金属纳米结构制备及半导体发光器件集成技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 柔性电子学 |
| 1.2.1 常用柔性衬底材料 |
| 1.2.2 柔性器件制备方法 |
| 1.3 论文的研究内容 |
| 第2章 柔性基底金属纳米结构的制备方法 |
| 2.1 激光干涉光刻 |
| 2.1.1 双光束干涉光刻的原理 |
| 2.1.2 干涉系统平台的组成 |
| 2.1.3 干涉光刻制备纳米结构 |
| 2.2 二氧化硅球自组装 |
| 2.3 光盘翻模 |
| 2.4 AAO掩膜 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 半导体发光器件的制备及集成技术研究 |
| 3.1 垂直腔面发射激光器(VCSEL) |
| 3.1.1 VCSEL基本原理 |
| 3.1.2 VCSEL制备流程 |
| 3.2 发光二极管(LED) |
| 3.2.1 LED基本原理 |
| 3.2.2 LED制备流程 |
| 3.3 芯片集成技术研究 |
| 3.3.1 键合工艺原理 |
| 3.3.2 键合的实现 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 集成芯片的原理及测试 |
| 4.1 集成芯片的原理 |
| 4.1.1 表面等离激元 |
| 4.1.2 局域表面等离子体共振 |
| 4.2 集成芯片的测试 |
| 4.2.1 透射光谱测试 |
| 4.2.2 VCSEL集成芯片测试 |
| 4.2.3 LED集成芯片的可视化检测 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（7）激光熔覆涂层对Ti35钛合金表面性能的影响研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 选题的背景及意义 |
| 1.2 金属表面激光熔覆研究现状 |
| 1.2.1 核阀门硬密封面激光熔覆研究情况 |
| 1.2.2 钛合金激光熔覆用材料的研究进展 |
| 1.2.3 钛合金激光熔覆技术研究应用概况 |
| 1.3 激光熔覆设备情况介绍 |
| 1.3.1 CO_2激光器 |
| 1.3.2 YAG激光器 |
| 1.3.3 半导体激光器 |
| 1.4 激光熔覆工艺参数对陶瓷复合涂层性能的影响 |
| 1.4.1 激光工艺参数 |
| 1.4.2 激光器同轴送粉影响参数 |
| 1.5 本课题的研究内容与技术路线 |
| 2 实验材料及实验方法 |
| 2.1 实验材料 |
| 2.2 试验用激光熔覆设备 |
| 2.3 激光熔覆试验工艺 |
| 2.4 研究方法 |
| 2.4.1 熔覆合金粉末制备 |
| 2.4.2 熔覆涂层试样制备及研究方法 |
| 2.4.3 腐蚀试样制备及研究方法 |
| 3 钛合金表面激光熔覆试验研究 |
| 3.1 同步送粉、异步送粉熔覆钛合金的探索试验研究 |
| 3.2 TA2钛合金基板上激光熔覆金属钽探索试验研究 |
| 3.2.1 激光熔覆层宏观组织特征 |
| 3.2.2 激光熔覆层微观组织特征 |
| 3.2.3 激光熔覆层硬度 |
| 3.3 Ti35合金基板上激光熔覆金属钽探索试验研究 |
| 3.3.1 激光熔覆层宏观组织特征 |
| 3.3.2 激光熔覆层微观组织特征 |
| 3.3.3 激光熔覆层硬度 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 高硬度耐腐蚀钛合金涂层激光熔覆试验研究 |
| 4.1 Ti-Ta/陶瓷复合涂层的设计 |
| 4.2 球磨工艺参数对Ti-Ta-TiC粉末合金化效果的影响研究 |
| 4.2.1 球磨时间对Ti-10Ta粉末合金化程度影响研究 |
| 4.2.2 Ti-10Ta-XTiC粉末球磨工艺研究 |
| 4.3 工艺参数对熔覆层表面质量的影响规律 |
| 4.4 Ti-Ta/陶瓷复合涂层的宏观组织 |
| 4.5 Ti-10Ta/陶瓷复合涂层的微观组织特征 |
| 4.5.1 Ti-10Ta的熔覆层显微组织 |
| 4.5.2 Ti-10Ta+5%TiC的熔覆层显微组织 |
| 4.5.3 Ti-10Ta+10%TiC的熔覆层显微组织 |
| 4.5.4 Ti-10Ta+20%TiC的熔覆层显微组织 |
| 4.6 激光熔覆层的显微硬度 |
| 4.7 本章小结 |
| 5 高硬度耐腐蚀钛合金涂层的腐蚀试验研究 |
| 5.1 激光熔覆试样的腐蚀行为分析 |
| 5.2 腐蚀表面宏观特征 |
| 5.3 腐蚀表面微观特征 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 结论 |
| 参考文献 |
| 附录 :攻读硕士学位期间发表的论文 |
| 致谢 |
（8）光注入半导体激光器的非线性动态特性及其应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 光注入半导体激光器的研究进展 |
| 1.2.1 光注入半导体激光器非线性动态特性研究现状 |
| 1.2.2 光注入半导体激光器非线性动态特性应用研究进展 |
| 1.3 本论文的研究意义及主要研究工作 |
| 1.3.1 本论文的研究目的 |
| 1.3.2 本论文的主要内容与研究结果的意义 |
| 1.3.3 本论文研究工作的创新点 |
| 第二章 光注入半导体激光器的非线性动态特性研究 |
| 2.1 光注入半导体激光器的理论模型 |
| 2.2 光注入半导体激光器的非线性动态特征分布 |
| 2.2.1 线宽增强因子对光注入半导体激光器动态特征分布的影响 |
| 2.2.2 线宽增强因子对光注入半导体激光器单周期振荡的影响 |
| 2.3 光注入加光反馈混合扰动半导体激光器的动力学特征分布 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 光注入Fabry-Perot 半导体激光器产生混沌激光的研究 |
| 3.1 光注入Fabry-Perot 半导体激光器产生双波长宽带混沌激光的研究 |
| 3.1.1 实验装置 |
| 3.1.2 宽带双波长混沌激光的产生 |
| 3.1.3 注入光功率和频率失谐对混沌激光带宽的影响 |
| 3.2 Fabry-Perot 半导体激光器互注入产生多波长混沌激光的研究 |
| 3.2.1 实验装置 |
| 3.2.2 实验结果与分析 |
| 3.3 波长可调谐混沌激光的产生实验 |
| 3.3.1 实验装置 |
| 3.3.2 实验结果与分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于光注入半导体激光器的全光分频技术 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 基于光注入半导体激光器实现全光时钟分频的实验研究 |
| 4.2.1 实验装置与工作原理 |
| 4.2.2 实验结果和分析 |
| 4.3 全光脉冲重复速率除法器 |
| 4.3.1 实验装置 |
| 4.3.2 实验结果与分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 基于光注入半导体激光器的全光波长转换技术 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 面向WDM/OTDM 混合系统的全光波长转换技术 |
| 5.2.1 理论模型与数值仿真 |
| 5.2.2 光注入FP-LD 实现分频光时钟波长转换的原理性实验验证 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 基于光注入半导体激光器产生超宽带(UWB)微波信号 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 基于光注入半导体激光器产生UWB 微波信号的数值分析 |
| 6.2.1 系统模型 |
| 6.2.2 模拟结果与分析 |
| 6.3 基于光注入半导体激光器产生UWB 微波信号的实验研究 |
| 6.3.1 实验装置 |
| 6.3.2 实验结果与分析 |
| 6.4 光脉冲注入半导体激光器产生可调谐超宽带信号研究 |
| 6.4.1 实验装置 |
| 6.4.2 实验结果与讨论 |
| 6.5 本章小结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 工作总结 |
| 7.2 未来工作展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况说明 |
| 致谢 |
四、采用蓝色半导体激光器的光盘（论文参考文献）
- [1]基于光致变色效应的钨磷酸盐玻璃发光可逆调控及其光存储应用研究[D]. 胡振. 昆明理工大学, 2021(02)
- [2]硅衬底GaN基微盘激光器的设计与制备研究[D]. 王瑾. 北京科技大学, 2020(01)
- [3]氮化镓材料载流子复合过程的研究[D]. 周韧林. 中国科学技术大学, 2020(01)
- [4]GaN、CsPbBr3微纳结构荧光及激光特性研究[D]. 章灿然. 江苏科技大学, 2020(03)
- [5]光子计数光时域反射仪关键技术研究[D]. 李斌. 电子科技大学, 2020(07)
- [6]柔性基底金属纳米结构制备及半导体发光器件集成技术研究[D]. 吴俊. 北京工业大学, 2019(05)
- [7]激光熔覆涂层对Ti35钛合金表面性能的影响研究[D]. 丁睿谦. 西安建筑科技大学, 2016(05)
- [8]光注入半导体激光器的非线性动态特性及其应用研究[D]. 张明江. 天津大学, 2011(05)
- [9]蓝色激光器的原理与发展[J]. 朱遥,诸葛琼. 记录媒体技术, 2007(03)
- [10]激光技术的发展历史[J]. 顾颖. 记录媒体技术, 2006(Z3)